国家/地区 中国（1893） 美国（271） 韩国（239） 世界知识产权组织（207） 日本（82） 欧洲专利局（EPO）（66） 台湾（35） 德国（17） 加拿大（14） 澳大利亚（10） 印度（10） 巴西（7） 香港（6） 墨西哥（4） 俄罗斯（4） 英国（3） 波兰（3） 越南（3） 西班牙（2） 印度尼西亚（2）
IPC部 H（2319）
IPC大类 H01（2065） C01（365） B82（224）
H05（204） C08（110） B01（81）
C09（79） C23（75） H02（64）
G01（49） H04（43） G02（39）
B32（37） C25（30） C22（27）
IPC小类 H01M（871） H01L（516） H01G（417）
C01B（348） H01B（272） B82Y（219）
H05K（112） C08K（88） C08L（88）
H05B（85） B01J（72） C23C（71）
C09D（40） C01G（39） B32B（37）
IPC H01M004/36（397） H01M010/0525（392） H01M004/62（344）
H01G011/86（261） B82Y030/00（196） C01B031/04（191）
H01G011/36（190） H01M004/583（189） H01M004/58（139）
H01M004/587（125） H01G011/32（122） H01G011/30（120）
H01M004/38（115） H01L029/16（105） H01G011/24（102）
发明人 WANG Y（75） ZHANG Y（75） XIAO L（69）
ZHONG L（69） LI Y（68） LIU Y（65）
LI J（63） WANG X（55） ZHANG J（55）
ZHANG X（54） WANG J（52） LI Z（49）
WANG L（48） LIU X（47） WANG Z（46）
公开年 2017（1058） 2016（1048） 2018（206） 2019（2） 2020（2） 2021（2）
申请年 2016（2319）
专利权人 XIAO L（52） UNIV ZHEJIAN.（28） CHENGDU NEW .（25） SAMSUNG ELEC.（25）
NANOTEK INST.（21） UNIV CENT SO.（21） STATE GRID C.（19） UNIV CHINA E.（19）
UNIV JINAN（19） UNIV SHANGHA.（19） INST MICROEL.（16） ZHONG L（16）
CHINESE ACAD.（15） UNIV SHAANXI.（15） UNIV SHANGHA.（15） UNIV TIANJIN（15）
UNIV ANHUI N.（14） UNIV SHANDON.（14） SHANGHAI INS.（13） UNIV CHINA J.（13）

Metal oxide semiconductor field effect transistor, has composite gate dielectric layer passivated with fluorine above graphene layer, and metal gate located above composite gate dielectric layer.

SEO H C, MOON J

Producing two-dimensional autonomous nanostructures using system in environment of plasma excited by microwaves, involves injecting mixture of gases and precursors, in drainage regime and reactor and drainage is submitted to electric field.

TATAROVA E S, DUARTE VIEIRA HENRIQUES J P D, CAPITAO LEMOS ALVES L P M, SOARES GONCALVES B M

Method for manufacturing supercapacitor comprising two supercapacitor cells, involves aligning two supercapacitor cells with matching pads provided on two supercapacitor cells, providing solder between matching pads, and interconnecting two supercapacitor cells with polyvinyl alcohol gel curing.

HAMZAH A A, MAJLIS B Y, ABIDIN H E Z, MOHAMED M A

Method for converting single wall carbon nanotubes into graphene sheets, involves etching latent defects in single wall carbon nanotubes with provided plasma and splitting carbon nanotubes in longitudinal direction resulting in sheets.

EGERTON E J, SOOD A K

Preparing three-dimensional graphene for composite electrode material in electrochemical energy storage device, involves removing non-graphene components through selective physical and chemical reactions of materials containing graphene.

CHU X

Fabricating graphene nanoribbon array for graphene nanotransistor grid manufacture by selectively seeding growth of graphene flakes on substrate, masking flake edges with insulator, etching, removing insulator, and etching electrode.

LERNER M B

Use of tin(IV) oxide/carbon/vanadium(V) oxide/graphene composite nanomaterial as lithium ion battery negative electrode material.

YE C

Method for preparing graphene electrode material, involves weighing graphene and polyacrylamide, adding graphene to concentrated sulfuric acid, adding graphene oxide-based material to dimethyl carbonate and injecting sprayed material.

INVENTOR U

Cable terminal, has porcelain sleeve provided with wiring terminal, and copper alloy located between wiring terminal and insulating wire core, where alloy is comprises specific percentage of graphene, molybdenum disulfide and carbon fiber.

SHI C

Method for preparing graphene electrode material, involves weighing graphene, carbon nitride and polycaprolactone, adding graphene to concentrated sulfuric acid and placing graphene oxide material and stirring mixture.

INVENTOR U